MOSFET
メーカー：Onsemi

取り付け様式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: ATPAK-3
トランジスタ極性: P-Channel
チャンネル数: 1 Channel
Vds – ドレイン – ソース間破壊電圧: 100 V
Id – 連続ドレイン電流: 28 A
Rds On – 抵抗におけるドレイン – ソース: 75 mOhms
Vgs – ゲート-ソース間電圧: 20 V
Vgs th – ゲート・ソース間しきい電圧: 3.5 V
Qg – ゲート電荷: 73 nC
最低動作温度: – 55 C
最高動作温度: + 150 C
Pd – 電力損失: 70 W
チャネルモード: Enhancement