S0021012

RJP020N06T100

高静電破壊耐量タイプ Nch 60V 2A ミドルパワーMOSFET

特長:
・2.5V駆動タイプ
・Nチャンネル ミドルパワーMOSFET
・高速スイッチング
・小型面実装パッケージで省スペース

特性:
グレード Standard
パッケージコード SOT-89
JEITAパッケージ SC-62
パッケージサイズ[mm] 4.5×4.0 (t=1.5)
端子数 3
極性 Nch
ドレインソース間電圧 VDSS [V] 60
ドレイン電流 (直流) ID [A] 2.0
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.) 0.21
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.) 0.17
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.) 0.165
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.) 0.21
ゲート総電荷量 Qg [nC] 5.0
許容損失 PD [W] 2.0
駆動電圧 [V] 2.5
実装方式 Surface mount
保存温度範囲(Min.)[℃] -55
保存温度範囲(Max.)[℃] 150

S0021012

RJP020N06T100

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¥20(税別)
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