モータ、ソレノイド、ランプドライブ用 2in1ローサイドパワースイッチ
TPD1030Fは縦型パワーMOSFET出力の2in1ローサイドスイッチで、CMOS、TTLロジック回路 (MPUなど) から直接ドライブができ、各種保護機能を内蔵しています。

■ 特 長
・ コントロール部と縦型出力パワーMOSFET (L2-π-MOS) を 1チップ上に組み込んだICを2チップ内蔵しています。
・ CMOSロジック等から電力負荷を直接ドライブできます。
・過電圧 (アクティブクランプ)、過熱、過電流 (電流リミッタ) 保護回路を内蔵しています。
・オン抵抗が小さい。 : RDS (ON) = 0.6 Ω (最大) (＠VIN = 5 V、ID = 0.5 A、Tch = 25°C)
・ドレインしゃ断電流が小さい。 : IDSS = 10 μA (最大) (＠VIN = 0 V、VDS = 30 V、Tch = 25°C)
・入力電流が小さい。 : IIN = 300 μA (最大) (＠VIN = 5 V、Tch = −40~110°C)
・面実装のSOP8パッケージで梱包形態はエンボステーピングです。